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상세 정보 |
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| 재료: | 단일 결정 석영 | 사이즈: | 2, 3, 4, 6, 8 " 또는 필요에 따라 |
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| 절단 각도: | Ｘ, Ｙ, Ｚ, AT, BT, ST, BT, SC, 기타 등등. | 두께: | 0.08 밀리미터 - 10 밀리미터 |
| 서피스: | 양측 사이드 니스, 일 측면 니스, 랩, 부식 | 애플리케이션: | 주파수 제어 / 주파수 선택 / QMEMS |
| 씨: | 씨가 없는 / 위스시드 | 등급: | 톱 / 광학 |
| 하이 라이트: | 8 " 단-결정 웨이퍼,4 " 반도체 결정,6 " 단-결정 웨이퍼 |
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제품 설명
4 6 8 " 단-결정 웨이퍼 반도체 결정 톱 / 광학 등급
단일 결정 석영 웨이퍼 / 공백은 인공 합성 수정으로 만들어집니다. 그것은 좋은 압전 효과를 가지고, 넓게 타이밍 주파수 제어, 주파수 선택과 QMEMS에서 사용됩니다. 다른 애플리케이션은 VCXO, TCXO, OCXO 기타 등등을 포함합니다.
재료 특성
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재료 |
피에조 / 광학 등급 |
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q치 |
민 1.8x10^6, 2.4x10^6 3.0x10^6 ＩＥＣ 규격에 |
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ECD |
맥스 2 /c㎡, 10/c㎡, 맥스 30/c㎡, 맥스 100/c㎡, 맥스 300/c㎡ ; 쓸린 석영 |
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포함 비중 |
Ia, Ib, I, II, 3세 등급 |
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쓸립니다 |
쓸린 석영을 가진, 이용 가능한 양쪽 순수한 Ｚ와 Ｙ 바 |
처리 용량 - 공백
| 삭감 타입 (배향) | Ｘ, Ｙ, Ｚ, AT, BT, CT, ET, DT, GT, NT, FC, SC, IT, AC, BC, ST, TS MT, NT RT, LC..., 기타 등등 |
| 각도 허용 오차 (±) | 세타 각도 : ±5″, ±10″, ±15″, ±30″, ±1′, ±2′,..., 기타 등등. |
| 파이각 : ±5′, ±10′, ±15′, ±30′,..., 기타 등등. | |
| 사이즈 | 라운드 (3.0mm~8")/ 광장 (1.6x1.6mm~48x48mm 또는 큰) / SMD (1.2x2.4mm 상기사실) |
| 사이즈 허용 오차 (±) | 사이즈에 따르면, ±0.01mm,+/-0.005mm, +/-0.0005mm |
| Frequency/ 두께 | 기본적인 AT-커트를 위한 1 마하즈 최고 54Mhz ; 식각하는 것에 의한 최고 70Mhz |
| 플랫 | 요청된 페르 : 플랫은 ±10 deg 이내에 x 축과 직각입니다 |
| 표면 마감 | #1000(9u) ; #2000(7u) ; #3000(5u) ; #4000(3u) (원문대로) ; 폴리시드 (세륨 옥사이드)과 에칭된 Std |
| 배음 | 원칙 ; 세번째 배음 (3번째) ; 다섯번째 배음 (5번째) |
| (디오프트릭) 윤곽제어 | 평면 볼록 : 0.5 디오프트릭 dioptric~10 양면-볼록 : 디오프트릭 10 dioptric~15 |
처리 용량 - 웨이퍼
| 지름 | 3"(76.2mm) | 4"(100mm) | 6"(150mm) | 8"(200mm) |
| 두께 | 0.08 밀리미터 민 업 | 0.10 밀리미터 민 업 | 0.20 밀리미터 민은 -위로 | 0.35 밀리미터 민- |
| 1차 플래트 | 22 밀리미터 | 32 밀리미터 | 42.5 밀리미터 | 57.5 밀리미터 또는 눈금 |
| 서피스 | LTV (5mmx5mm) | <1> | TTV | <1> |
| 활 | -30 |
날실 | <40> | |
| 면형 | SSP / DSP | 에지 기준 | R=0.2mm 또는 불노즈 | |
| 연마한 측면 Ra | <0> | 후면 표준 | 0.2-0.5um 또는 맞춤화되곤 것처럼 |
수입 감사
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