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상세 정보 |
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| 이름: | 압전박판 | 데이터 독립적 접근 모형.: | 3 인치, 4 인치, 6 인치 |
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| 재료: | α 석영 | 두께: | 위로 100 um |
| 플랫: | 22 밀리미터, 32.5 밀리미터, 47.5 밀리미터, 57.5 밀리미터, 눈금 | 표면가공도: | 양면 광택, 단면 광택 |
| 사용: | 표면 음파 애플리케이션 | RA: | <1nm> |
| 강조하다: | 결정 석영 압전박판,표면 탄성파 필터 단일 결정 석영 웨이퍼,피에조 단일 결정 석영 웨이퍼 |
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제품 설명
표면 탄성파 필터 압전 발진기 공진기 가속기를 위한 단일 결정 석영 웨이퍼
수정 좌표축의 어떤 배향에 대한 석영 웨이퍼의 절단은 석영 웨이퍼의 절단 패턴으로 불립니다. 수정 결정의 이방성 때문에, 석영 조각의 전기적이고 열 속성은 그들의 다른 신축성, 압전성질과 온도 특성으로 인해 다릅니다.
수정 결정을 줄인 상징을 나타내기 위한 2가지 방식이 있습니다, 하나가 IRE 기준의 처방된 심볼 표현입니다, 다른 것 수정 결정에 특별한 맞춘 심볼 표현입니다. 분노는 상징에 의해 처방된 유형을 (줄이고 (XYZlWt) 일련의 편지와 각으로 Ｔ (두께), Ｌ (길이), 회전 방향, 각이 시계 반대 방향으로 말했고 마이너스 기호가 오른쪽으로 돌아 말한 것을 말하기 위한 Ｗ (폭)로, 원래 위치의 축을 따라 칩 두께와 길이를 대표하기 위해 XYZ 세 편지로 말했습니다.
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재료 |
종합적 압전 수정진동자 |
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절삭각 |
Ｘ / Ｙ / Ｚ / AT32' /33' /35' /36' / BT / ST42.75' 기타 등등 또는 주문 제작된 것마다 |
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지름 / 사이즈 |
3 " (76.2mm) |
4 " (100mm) |
6 " (150mm) |
8 " (200mm) |
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Tol(±) |
<0> |
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가장 가는 두께 |
0.08 밀리미터 민 업 |
0.10 밀리미터 민 업 |
0.20 밀리미터 민은 -위로 |
0.35 밀리미터 민- |
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1차 플래트 |
22 밀리미터 |
32 밀리미터 |
42.5 밀리미터 |
57.5 밀리미터 또는 눈금 |
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LTV (5mmx5mm) |
<1> |
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TTV |
<1> |
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활 |
±10~±50um |
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날실 |
<10> |
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PLTV (<0> |
≥95%(5mm*5mm) |
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배향 평판 |
모두 이용 가능합니다 |
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면형 |
랩핑된 일 측면 니스 / 양측 사이드 니스 / |
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연마한 측면 Ra |
<0> |
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후면 표준 |
장군은 0.2-0.5um입니다 또는 맞춤화된 것처럼 |
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에지 기준 |
R=0.2mm 또는 불노즈 |
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물질 특성 |
ECD |
등급 4보다 더 좋습니다 |
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포함 |
등급 II보다 더 좋습니다 |
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q치 |
등급 Ｃ보다 더 좋습니다 |
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웨이퍼 표면 표준 |
입자 c>0.3 Ｕ Ｍ |
<> |
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자르면서, 긁으세요 |
어떤 것 |
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결점 |
어떤 에지 균열, 스크래치, 톱 마크, 얼룩 |
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패키징 |
수량 / 웨이퍼 박스 |
박스, 세미 표준 당 25 PC |
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수입 감사
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