상세 정보 |
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재료: | 사파이어 윈도우 | 성장: | 키로풀로스법 |
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융해점: | 2040년 'C | 열전도율: | 300 K에 있는 27.21 W/(m x K) |
열팽창: | 5.6 X 10 -6 /K (평행한 C-주축)과 5.0 (수직 C-주축) X 10 -6 /K | 견고성: | 2000g 인덴터와 누프 2000 킬로그램 / 밀리미터 2 |
견줌 열용량: | 419 J/ (kg X K) | 유전체 상수: | 11.5 1MHz에 있는 (평행한 C-주축) 9.4 (수직 C-주축) |
강조하다: | 반도체 압전박판,사파이어 윈도우 압전박판,저항하는 사파이어 웨이퍼를 긁기 |
제품 설명
반도체 사파이어 웨이퍼 사파이어 윈도우 압전박판
사파이어는 물리적이고 화학적이고 광학 특성의 특이 조합의 물질이며, 그것이 그것을 고온, 열 충격, 물과 샌드 이로전과 스크래칭에 저항력이 있게 합니다. 그것은 3 um 내지 5 um으로부터의 많은 IR 응용에 쓸 뛰어난 창문재입니다. 넓게 기판이 익숙한 씨 플레인 사파이어가 청색 LED와 레이저 다이오드를 위한 GaN과 같은 III-V와 II-VI 화합물을 성장시키는 반면에, r-평면 사파이어 기판은 마이크로 전자 공학 IC 애플리케이션을 위한 실리콘의 헤테로-에피텍시얼 기탁을 위해 사용됩니다.
항목 |
3 인치 씨 플레인 (0001) 500μm 사파이어 웨이퍼 |
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결정 재료 |
99,999%, 고순도, 단일결정 Al2O3 |
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등급 |
중요하고 에피레디입니다 |
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표면 배향 |
씨 플레인(0001) |
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M-주축 0.2 +/- 0.1을 향하여' 씨 플레인 오프-앵글 |
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지름 |
76.2 밀리미터 +/- 0.1 밀리미터 |
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두께 |
500 μm +/- 25 μm |
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1차 플래트 배향 |
A-plane(11-20) +/- 0.2' |
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1차 플래트 길이 |
22.0 밀리미터 +/- 1.0 밀리미터 |
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일 측면은 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(SSP) |
뒷 표면 |
미세 지면, 1.2 μm에 대한 Ra = 0.8 μm |
양측 사이드는 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(DSP) |
뒷 표면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
TTV |
< 15=""> |
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활 |
< 15=""> |
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날실 |
< 15=""> |
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세정 / 패키징 |
100 고청정실 세정과 진공 포장을 분류하세요, |
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한 카세트 패키징 또는 단일 조각 패키징에서 25개 부분. |
항목 |
4 인치 씨 플레인 (0001) 650μm 사파이어 웨이퍼 |
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결정 재료 |
99,999%, 고순도, 단일결정 Al2O3 |
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등급 |
중요하고 에피레디입니다 |
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표면 배향 |
씨 플레인(0001) |
|
M-주축 0.2 +/- 0.1을 향하여' 씨 플레인 오프-앵글 |
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지름 |
100.0 밀리미터 +/- 0.1 밀리미터 |
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두께 |
650 μm +/- 25 μm |
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1차 플래트 배향 |
A-plane(11-20) +/- 0.2' |
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1차 플래트 길이 |
30.0 밀리미터 +/- 1.0 밀리미터 |
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일 측면은 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(SSP) |
뒷 표면 |
미세 지면, 1.2 μm에 대한 Ra = 0.8 μm |
양측 사이드는 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(DSP) |
뒷 표면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
TTV |
< 20=""> |
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활 |
< 20=""> |
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날실 |
< 20=""> |
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세정 / 패키징 |
100 고청정실 세정과 진공 포장을 분류하세요, |
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한 카세트 패키징 또는 단일 조각 패키징에서 25개 부분. |
항목 |
6 인치 씨 플레인 (0001) 1300μm 사파이어 웨이퍼 |
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결정 재료 |
99,999%, 고순도, 단일결정 Al2O3 |
|
등급 |
중요하고 에피레디입니다 |
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표면 배향 |
씨 플레인(0001) |
|
M-주축 0.2 +/- 0.1을 향하여' 씨 플레인 오프-앵글 |
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지름 |
150.0 밀리미터 +/- 0.2 밀리미터 |
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두께 |
1300 μm +/- 25 μm |
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1차 플래트 배향 |
A-plane(11-20) +/- 0.2' |
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1차 플래트 길이 |
47.0 밀리미터 +/- 1.0 밀리미터 |
|
일 측면은 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(SSP) |
뒷 표면 |
미세 지면, 1.2 μm에 대한 Ra = 0.8 μm |
양측 사이드는 광택이 났습니다 |
전면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
(DSP) |
뒷 표면 |
Epi 닦은, Ra < 0=""> |
TTV |
< 25=""> |
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활 |
< 25=""> |
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날실 |
< 25=""> |
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세정 / 패키징 |
100 고청정실 세정과 진공 포장을 분류하세요, |
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한 카세트 패키징 또는 단일 조각 패키징에서 25개 부분. |
수입 감사