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상세 정보 |
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| 소재: | 사파이어 (Al2O3) 크리스탈 | 종류: | 단일 결정 |
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| 성장법: | 수평적으로 향하는 결정화 (HDC) | 순수성: | 99.999% |
| 표면: | DSP / SSP | 영 계수 (E): | 335 GPa |
| 적용: | 반도체 웨이퍼, LED 칩, 광학 유리창, 전자 세라믹스 | 산업: | 주도하는, 광학유리, 엘리 준비된 웨이퍼 |
| 강조하다: | 두면으로 닦은 사파이어 웨이퍼,초미세한 사파이어 웨이퍼,정밀 엔지니어링 사피어 웨이퍼 |
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제품 설명
정밀 공학용 초밀 두 면 닦은 사피르 웨이퍼
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광학적 특성
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전송 범위 |
0.17 ~ 5.5 미크론 |
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굴절 지수 |
1.75449 (o) 1.74663 (e) 1.06 미크론 |
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반사력 상실 |
1.06 미크론 (2 표면) 에서 O선 - 11.7%; e선 - 14.2% |
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흡수 지수 |
0.3 x 10-3cm-1 2.4 미크론 |
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dN/dT |
13.7 x 10-6에서 5.4 미크론 |
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dn/dm = 0 |
1.5 미크론 |
신체적 특성
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밀도 |
3.97g/cm3 |
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녹는점 |
2040도C |
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열전도성 |
27.21 W/ ((m x K) 300 K |
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열 확장 |
5.6 x 10-6/K (평행 C축) & 5.0 (삼각형 C축) x 10-6/K |
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단단함 |
노프 2000 kg/mm22000g 인데너 |
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특정 열 용량 |
419 J/kg x K) |
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다이 일렉트릭 상수 |
11.5 (평행 C축) 9.4 (삼각형 C축) 1MHz |
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영 모듈 (E) |
335 GPa |
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셰어 모듈 (G) |
148.1 GPa |
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대용량 모듈 (K) |
240 GPa |
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탄력 계수 |
C11=496 C12=164 C13=115 |
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가시적 탄력 한계 |
275 MPa (40,000 psi) |
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피시언 비율 |
0.25 |
승인 확인
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3제품 사용 시 진공 포장을 깨끗한 공간에서 열십시오.
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