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상세 정보 |
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| 재료: | 실리콘 웨이퍼 | 서피스: | 양면 광택, 단면 광택, 랩 |
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| 지름: | 2일부터 12일까지 또는 필요에 따라 | 두께: | 0.05mm - 10mm |
| 배향: | <100> <111>, , <110> | 비저항: | 0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
| 타입: | 본질적인 p 형, 앤형 | 불순물: | 비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
| 강조하다: | 인 도핑 실리콘 웨이퍼,붕소 도핑 반도체 웨이퍼,높은 저항성 실리콘 웨이퍼 |
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제품 설명
반도체를 위한 높은 저항성과 붕소 도핑된 인 도핑 실리콘 웨이퍼
실리콘 웨이퍼는 순수한 결정 실리콘의 얇은 조각입니다. 웨이퍼의 이러한 순수한 형태는 정상적으로 언도핑되거나 진성 실리콘 웨이퍼로 불립니다. 반도체 산업에서 실리콘 웨이퍼를 사용하기 위한 이유 중 하나는 실리콘의 자연 존재비입니다. 그것은 보통 SiO2의 모양으로 발견되는 것으로 도대체 발견된 가장 풍부한 물질 중 하나입니다. 실리콘을 사용하는 또 다른 이유는 실리콘의 전기 특성이 정확히 불순물의 추가에 의해 제어될 수 있다는 것입니다. 붕소와 같은 음란으로 도핑되는 실리콘 웨이퍼는 Ｐ 유형 웨이퍼를 만들고 비소로 도핑되거나 인을 함유한 웨이퍼가 n형의 웨이퍼를 만듭니다. 앤형 웨이퍼가 그 안에서 여러 부정적 대전 전자를 가지고 있지만 p 형 웨이퍼는 여러 긍정적 긴장된 홀을 가지고 있습니다.
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세미 표준 |
2 " (50.8mm) |
3 " (76.2mm) |
4 " (100mm) |
5 " (125mm) |
6 " (150mm) |
8 " (200mm) |
12 " (300mm) |
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지름 |
50.8 ± 0.38 밀리미터 | 76.2 ± 0.63 밀리미터 | 100 ± 0.5 밀리미터 | 125 ± 0.5 밀리미터 | 150 ± 0.2 밀리미터 | 200 ± 0.2 밀리미터 | 300 ± 0.2 밀리미터 |
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두께 |
279 ± 25 um | 381 ± 25 um | 525 ± 20 um 또는 625 ± 20 um |
625 ± 20 um | 675 ± 20 um 또는 625 ± 15 um |
725 ± 20 um | 775 ± 20 um |
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타입 |
Ｐ, 엔 또는 본질적입니다 |
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불순물 |
비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
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배향 |
<100> <111>, , <110> |
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르시스티비티 |
0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
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1차 플래트 길이 |
15.88 ± 1.65 밀리미터 | 22.22 ± 3.17 밀리미터 | 32.5 ± 2.5 밀리미터 | 42.5 ± 2.5 밀리미터 | 57.5 ± 2.5 밀리미터 | 눈금 | 눈금 |
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2차 플래트 길이 |
8 ± 1.65 밀리미터 | 11.18 ± 1.52 밀리미터 | 18 ± 2.0 밀리미터 | 27.5 ± 2.5 밀리미터 | 37.5 ± 2.5 밀리미터 | NA | NA |
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표면가공도 |
식각되거나 싸이는 SSP, DSP | ||||||
수입 감사
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