상세 정보 |
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제품: | 실리콘 웨이퍼 | 지름: | 12인치, Φ300mm |
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두께: | 0.5mm - 1.0mm | 정위: | <100> <110>, , <111> |
비저항: | 0.001 – 300옴/cm | 타입: | P형, N형, 진성 |
도펀트: | B, Ph, As 또는 도핑되지 않음 | 패키지: | 카세트 |
강조하다: | 12 인치 반도체 웨이퍼,테스트 더미 실리콘 웨이퍼,0.5 밀리미터 실리콘 웨이퍼 |
제품 설명
12 인치 실리콘 웨이퍼 중요한 테스트 더미 웨이퍼
실리콘 웨이퍼는 생산하는 반도체를 위해 사용된 물질이며, 그것이 사람들의 삶을 향상시키는 전자 장치의 모든 종류에서 발견될 수 있습니다. 실리콘은 우주에서 가장 공통 요소로 두번째로 다가옵니다 ; 그것은 대부분 기술과 전자적 분야에서 반도체로서 사용됩니다.
수평 브리지먼법, 수평선상 경사 응고법, 수직 경사도 동결, 수직 브릿지만 방법과 초크랄스키 인상법을 계산하여 실리콘 제작에서 사용된 여러 방법이 있습니다.
실리콘 웨이퍼는 집적 회로에서 주요 요소입니다. 간단히 말하면, 집적 회로는 특별한 기능을 수행하기 위해 접합되는 다양한 전자 부품의 복합체입니다.
실리콘은 반도체 도구를 위한 핵심 플랫폼입니다. 웨이퍼는 단지 있지만 마이크로 전자 장치를 위한 기층의 역할을 하는 반도체 물질의 얇은 조각이 웨이퍼에 적합했습니다.
세미 표준 |
2 " (50.8mm) |
3 " (76.2mm) |
4 " (100mm) |
5 " (125mm) |
6 " (150mm) |
8 " (200mm) |
12 " (300mm) |
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지름 |
50.8 ± 0.38 밀리미터 | 76.2 ± 0.63 밀리미터 | 100 ± 0.5 밀리미터 | 125 ± 0.5 밀리미터 | 150 ± 0.2 밀리미터 | 200 ± 0.2 밀리미터 | 300 ± 0.2 밀리미터 |
두께 |
279 ± 25 um | 381 ± 25 um | 525 ± 20 um 또는 625 ± 20 um |
625 ± 20 um | 675 ± 20 um 또는 625 ± 15 um |
725 ± 20 um | 775 ± 20 um |
타입 |
P, 엔 또는 본질적입니다 |
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불순물 |
비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
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배향 |
<100> <111>, , <110> |
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르시스티비티 |
0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
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1차 플래트 길이 |
15.88 ± 1.65 밀리미터 | 22.22 ± 3.17 밀리미터 | 32.5 ± 2.5 밀리미터 | 42.5 ± 2.5 밀리미터 | 57.5 ± 2.5 밀리미터 | 눈금 | 눈금 |
2차 플래트 길이 |
8 ± 1.65 밀리미터 | 11.18 ± 1.52 밀리미터 | 18 ± 2.0 밀리미터 | 27.5 ± 2.5 밀리미터 | 37.5 ± 2.5 밀리미터 | NA | NA |
표면가공도 |
식각되거나 싸이는 SSP, DSP |
웨이퍼의 양쪽에 열 산화물
막두께 : 100A - 양쪽 위의 10 um
막두께 허용한도 : 타겟 ±5%
박막 스트레스 : - 압축력이 있는 320±50 MPa
막두께 : 100A - 양쪽 위의 10,000A
막두께 허용한도 : 타겟 ±5%
박막 스트레스 : - 압축력이 있는 320±50 MPa
수입 감사
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