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상세 정보 |
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| 재료: | 실리콘 웨이퍼 | 서피스: | 양면 광택, 단면 광택, 랩 |
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| 지름: | 2일부터 12일까지 또는 필요에 따라 | 두께: | 0.05mm - 10mm |
| 배향: | <100> <111>, , <110> | 비저항: | 0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
| 타입: | 본질적인 p 형, 앤형 | 불순물: | 비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
| 하이 라이트: | 파이 8 " 실리콘 웨이퍼,n형 폴리시드 웨이퍼,2 " P형 실리콘 웨이퍼 |
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제품 설명
절연성 산화 층과 8 열 산화물 실리콘 웨이퍼 n형 p형에 대한 파이 2
본텍은 2″부터 300 밀리미터까지 모든 지름에서 고급 품질 실리콘 열 산화물 웨이퍼를 제공합니다. 우리는 당신의 특정 요구 사항이 열 산화물의 높은 균일층이 노로 형성되도록 중요한 학년과 도망가는 무료 실리콘 웨이퍼를 기판으로 선택함으로써 충족된다는 것을 보증합니다.
미아크로기술에, 사용된 주요 절연재는 SiO2로서 화학 기호에서 작성되는 이산화 실리콘을 있습니다. 절연성 산화 층을 생산하기 위해, 레이어를 획득하는데 사용된 가장 공통 기술인 열 산화는 사용됩니다. 레이어를 획득하는 공정은 노에서 실행됩니다.
웨이퍼의 양쪽에 열 산화물
막두께 : 100A - 양쪽 위의 10 um
막두께 허용한도 : 타겟 ±5%
박막 스트레스 : - 압축력이 있는 320±50 MPa
막두께 : 100A - 양쪽 위의 10,000A
막두께 허용한도 : 타겟 ±5%
박막 스트레스 : - 압축력이 있는 320±50 MPa
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세미 표준 |
2 " (50.8mm) |
3 " (76.2mm) |
4 " (100mm) |
5 " (125mm) |
6 " (150mm) |
8 " (200mm) |
12 " (300mm) |
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지름 |
50.8 ± 0.38 밀리미터 | 76.2 ± 0.63 밀리미터 | 100 ± 0.5 밀리미터 | 125 ± 0.5 밀리미터 | 150 ± 0.2 밀리미터 | 200 ± 0.2 밀리미터 | 300 ± 0.2 밀리미터 |
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두께 |
279 ± 25 um | 381 ± 25 um | 525 ± 20 um 또는 625 ± 20 um |
625 ± 20 um | 675 ± 20 um 또는 625 ± 15 um |
725 ± 20 um | 775 ± 20 um |
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타입 |
Ｐ, 엔 또는 본질적입니다 |
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불순물 |
비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
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배향 |
<100> <111>, , <110> |
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르시스티비티 |
0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
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1차 플래트 길이 |
15.88 ± 1.65 밀리미터 | 22.22 ± 3.17 밀리미터 | 32.5 ± 2.5 밀리미터 | 42.5 ± 2.5 밀리미터 | 57.5 ± 2.5 밀리미터 | 눈금 | 눈금 |
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2차 플래트 길이 |
8 ± 1.65 밀리미터 | 11.18 ± 1.52 밀리미터 | 18 ± 2.0 밀리미터 | 27.5 ± 2.5 밀리미터 | 37.5 ± 2.5 밀리미터 | NA | NA |
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표면가공도 |
식각되거나 싸이는 SSP, DSP | ||||||
수입 감사
1. 제품은 깨지기 쉽습니다. 우리는 적당히 그것을 쌌고, 그것을 깨지기 쉽라고 불렀습니다. 우리는 운송 품질을 보증하기 위해 통과하여 우수한 국내이고 국제적 지름길 운반 공사를 전달합니다.
2. 받은 후 상품은 미안하지만, 치료를 처리하고 외부 통이 보존 상태가 좋은지 체크합니다. 주의깊게 외부 통을 열고 패킹상자가 정렬에서 있는지 체크하세요. 그들을 꺼내는 데 당신 전에 그림이 필요하세요.
3. 제품이 적용되는 것 일 때 무균실에서 진공 패키지를 여세요.
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